代6mm x 6mm尺寸小30%,但效率更高出3%,最高可达95%。这些器件封装的寄生参数比离散方案小,使开关频率可以达到1.5MHz,能有效提高功率密度,降低总体方案成本。
该器件包含的高端和低边TrenchFET? Gen IV N沟道低导通阻抗的MOSFET,先进的MOSFET驱动IC,以及自举的肖特基势垒二极管,全部集成在小尺寸25mm2面积内。SiC620的驱动IC兼容各种PWM控制器,支持5V和3.3V的三态PWM逻辑。
SiC620家族完全符合DrMOS 4.0标准,针对笔记本电脑、服务器、游戏机、图形卡、交换机和存储系统,以及其他采用CPU的高功率系统中的高功率、多相降压稳压器,以及大电流的非隔离负载点模块。Buck变换器在12V输入时是最优的,输入电压可以从
Details about JOSLYN CLARK 2445 USPP 2445
Details about ITE SIEMENS JD62F400 USPP JD62F400
Details about SQUARE D 8660-B-4A NSFP 8660B4A
Details about SIEMENS CLHC003277 USPP CLHC003277
Details about MILLIPORE YY5000510 NSFP YY5000510
Details about NATIONAL SEMICONDUCTOR LM4040AIZ100NOPB FNFP LM4040AIZ100NOPB
Details about ABB ACS-600 Adustable Variable Speed AC Inverter Drive